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電漿處理的鉭擴散阻障層在銅製程的應用

電漿處理的鉭擴散阻障層在銅製程的應用

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:3 民91.08、頁次:頁19-23
主題與關鍵字：氮氣電漿處理　鉭擴散阻障層　銅製程
資料識別：A02035160

180121/1161946

含氟非晶性碳膜之研究

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:3 民91.08、頁次:頁24-32
主題與關鍵字：含氟非晶性碳膜　積體電路　介電層
資料識別：A02035161

180122/1161946

微機電蝕刻製程氣體的選擇

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:3 民91.08、頁次:頁33-37
主題與關鍵字：微機電蝕刻製程　半導體
資料識別：A02035162

180123/1161946

規則性奈米孔洞超低介電常數二氧化矽薄膜之製備

規則性奈米孔洞超低介電常數二氧化矽薄膜之製備

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:3 民91.08、頁次:頁38-44
主題與關鍵字：低介電　奈米孔洞　二氧化矽薄膜
資料識別：A02035163

180124/1161946

新建工程機電系統圖說規範訂定

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:3 民91.08、頁次:頁45-51
主題與關鍵字：機電系統圖　奈米元件實驗室
資料識別：A02035164

180125/1161946

熱流技術用於電子束微影中製作次35奈米接觸洞之研究

熱流技術用於電子束微影中製作次35奈米接觸洞之研究

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁1-7
主題與關鍵字：熱流技術　電子束微影　次35奈米接觸洞
資料識別：A02035165

180126/1161946

在室溫下具有庫倫阻斷效應的矽半導體奈米級細線

在室溫下具有庫倫阻斷效應的矽半導體奈米級細線

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁8-12
主題與關鍵字：庫倫阻斷效應　矽半導體　微電子元件
資料識別：A02035166

180127/1161946

脈波式射頻量測技術之原理與應用

脈波式射頻量測技術之原理與應用

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁13-17
主題與關鍵字：脈波式射頻量測技術
資料識別：A02035167

180128/1161946

高解析掃描穿透式電子顯微鏡在後段金屬連線的應用

高解析掃描穿透式電子顯微鏡在後段金屬連線的應用

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁18-25
主題與關鍵字：掃描穿透式電子顯微鏡
資料識別：A02035168

180129/1161946

奈米孔洞二氧化矽超低介電薄膜的電漿鍛燒及改質

奈米孔洞二氧化矽超低介電薄膜的電漿鍛燒及改質

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁26-32
主題與關鍵字：奈米孔洞二氧化矽薄膜　電漿鍛燒
資料識別：A02035169

180130/1161946

比較CF[feb2]/C[feaf]H[feaf]及CF[feb2]/C[feaf]H[feb8]電漿製備低介電材料氟化非晶碳膜之研究

比較CF[feb2]/C[feaf]H[feaf]及CF[feb2]/C[feaf]H[feb8]...

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁33-37
主題與關鍵字：電漿　氟化非晶碳膜　化學氣相沉積法
資料識別：A02035170

180131/1161946

I-line Stepper對準效率與曝光平臺的關係

I-line Stepper對準效率與曝光平臺的關係

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁38-45
主題與關鍵字：I-line Stepper對準效率　微影製程　光學投影系統　X-Y曝光...
資料識別：A02035171

180132/1161946

CDO排水問題之改善

描述：來源期刊:奈米通訊、卷期:9:4 民91.11、頁次:頁46-50
主題與關鍵字：CDO排水　廢氣排放
資料識別：A02035172

180133/1161946

勞工安全研究未來環境預測

描述：來源期刊:勞工安全衛生簡訊、卷期:56 民91.12、頁次:頁2-3
主題與關鍵字：勞工安全
資料識別：A02035173

180134/1161946

異常氣壓潛水作業傷病與其預防

描述：來源期刊:勞工安全衛生簡訊、卷期:56 民91.12、頁次:頁10-12...
主題與關鍵字：潛水作業　職業安全
資料識別：A02035174

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