The Electrical Properties of Sulfur-Passivated GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Structures with the Oxide Layer Grown by Liquid Phase Chemical-Enhanced Oxidation Technique

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A99034179
資料類型:
期刊論文
著作者:
周德威(Chou, Dei-wei) 戴學斌(Dai, Shei-bin) 廖坤厚(Liao, Kun-hou)
主題與關鍵字:
GaAs (NH4)2Sx Sulfur passivation MOS Liquid phase oxidation 砷化鎵 硫鈍化 電氣特性 鈍化處理 氧化
描述:
來源期刊:航空技術學校學報
卷期:1:1 民88.08
頁次:頁135-139
日期:
19990800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

中藥材中黃麴毒素污染之調查
女性荷爾蒙療法與中藥科學中藥處方併用...
微奈米級三維全域表徵動態顯微量測
南科345kV地下電纜線路之規劃設計...
美學、民族誌與文學的文化功能:專訪嘉...
高分子電解質膜燃料電池(PEMFC)...