The Electrical Properties of Sulfur-Passivated GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Structures with the Oxide Layer Grown by Liquid Phase Chemical-Enhanced Oxidation Technique
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- 資料識別：
- A99034179
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 周德威(Chou， Dei-wei) 戴學斌(Dai， Shei-bin) 廖坤厚(Liao， Kun-hou)
- 主題與關鍵字：
- GaAs (NH4)2Sx Sulfur passivation MOS Liquid phase oxidation 砷化鎵 硫鈍化 電氣特性 鈍化處理 氧化
- 描述：
- 來源期刊:航空技術學校學報
- 卷期:1:1 民88.08
- 頁次:頁135-139
- 日期：
- 19990800
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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