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Elimination of High Density Stacking Faults in CMOS Process
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後設資料
資料識別:
A99032531
資料類型:
期刊論文
著作者:
貢中元(Kung, C. Y.) 許靜宜(Hsu, C. Y.)
主題與關鍵字:
疊差 去疵 離子驅入 Stacking faults Gettering Drive-in
描述:
來源期刊:興大工程學刊
卷期:10:3 民88.12
頁次:頁73-78
日期:
19991200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
貢中元(Kung, C. Y.) 許靜宜(Hsu, C. Y.)(19991200)。[Elimination of High Density Stacking Faults in CMOS Process]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/3b/3b.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/3b/3b.html
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