以感應耦合電漿二階段深度蝕刻氮化鎵
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- 資料識別：
- A01035081
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 劉書史(Liu， S. S.) 張連璧(Chang， L. B.) 鄭明哲(Jeng， M. J.)
- 主題與關鍵字：
- 氮化鎵 光阻 蝕刻深度 ICP功率 RF功率 蝕刻輪廓 Gallium Nitride Photoresist Etching depth ICP power RF power Etching profiles
- 描述：
- 來源期刊:材料科學與工程
- 卷期:33:4 民90.12
- 頁次:頁239-246
- 日期：
- 20011200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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