穿隧氧化層氮化技術對SONOS快閃記憶體之特性研究

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資料識別:
A10045646
資料類型:
期刊論文
著作者:
吳家麟(Wu, Jia-lin) 高進興(Kao, Chin-hsing) 李志遠(Lee, Chih-yuan) 王哲釧(Wang, Je-chuang) 廖健瑋(Liao, Chien-wei)
主題與關鍵字:
快閃記憶體 氮化 穿隧氧化層 SONOS Flash memory Nitridation Tunnel oxide
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:39:2(A) 2010.11[民99.11]
頁次:頁163-174
日期:
20101100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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