穿隧氧化層氮化技術對SONOS快閃記憶體之特性研究
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- 資料識別：
- A10045646
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 吳家麟(Wu， Jia-lin) 高進興(Kao， Chin-hsing) 李志遠(Lee， Chih-yuan) 王哲釧(Wang， Je-chuang) 廖健瑋(Liao， Chien-wei)
- 主題與關鍵字：
- 快閃記憶體 氮化 穿隧氧化層 SONOS Flash memory Nitridation Tunnel oxide
- 描述：
- 來源期刊:中正嶺學報
- 卷期:39:2(A) 2010.11[民99.11]
- 頁次:頁163-174
- 日期：
- 20101100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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