Improvement of Inserted Substrate Pickup Layout Style in an ESD NMOS Device

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A09038999
資料類型:
期刊論文
著作者:
黃至堯(Huang, Chih-yao) 宋柏寬(Sung, Po-kuan)
主題與關鍵字:
短路接觸 置入接觸 靜電放電 接觸點 基底電阻 Butting Inserted Electrostatic Discharge ESD Pickup Substrate resistance
描述:
來源期刊:清雲學報
卷期:29:2 2009.04[民98.04]
頁次:頁19-32
日期:
20090400
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

戒嚴時期《國魂》月刊所刊登的禁書
杭菊與野菊之介紹及療效研究
天下無雙 古今鮮對--晉唐法書名蹟特...
總計畫:中藥材輻射滅菌劑量之評估研究...
挪威對於養殖魚類之安全、衛生及基改飼...
微奈米級三維全域表徵動態顯微量測