A Study of High-Quality InAs-Strained Bulk Layer Growth on GaAs by MOCVD
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- 資料識別：
- A06085350
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 楊誌欽(Yang， Chih-chin)
- 主題與關鍵字：
- 砷化銦 異質結構 有機氣相磊晶法 應力層 InAs Hetero-structure MOCVD Strained layer
- 描述：
- 來源期刊:科學與工程技術期刊
- 卷期:2:3 民95.09
- 頁次:頁103-110
- 日期：
- 20060900
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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