Improvement of Ultra-Thin Gate Oxide Reliability Using Fluorine and Nitrogen Implantation
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A06070984
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃正權(Huang， Cheng-chuan) 李建南(Lee， Chien-nan)
- 主題與關鍵字：
- 氟與氮離子佈植 超薄氧化層可靠度 氟化與氮化氧化層 電荷累積崩潰分布的面積效應 Fluorine and nitrogen implantation Ultra-thin gate oxide integrity Fluorinated Nitrided oxide Area dependence of charge-to-breakdown
- 描述：
- 來源期刊:亞東學報
- 卷期:26 民95.05
- 頁次:頁7-12
- 日期：
- 20060500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
