Comparison of Photoluminescence Properties between MBE and MOCVD Grown InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures
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- 資料識別：
- A02013641
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 馮世維(Feng， Shih-wei) 廖啟智(Liao， Chi-chih) 楊志忠(Yang， C. C.) 林彥勝(Lin， Yen-sheng) 馬廣仁(Ma， Kung-jeng) 張慶安(Chang， Chin-an) 吳易座(Wu， E-tsou) 賴夆杰(Lai， Fung-jei) 卓昌正(Chuo， Chang-cheng) 李家銘(Lee， Chia-ming) 綦振瀛(Chyi， Jen-inn)
- 主題與關鍵字：
- 氮化鎵銦 氮化鎵多重量子井 含多銦成分的聚集 螢光 InGaN/GaN multiple quantum wells Indium-rich clusters Photoluminescence
- 描述：
- 來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
- 卷期:9:2 民91.05
- 頁次:頁103-108
- 日期：
- 20020500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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