電激發光金氧矽穿隧二極體中居量反轉條件與光增益係數

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資料識別:
A07072374
資料類型:
期刊論文
著作者:
梁奕智(Liang, Eih-Zhe)
主題與關鍵字:
金氧矽穿隧二極體 矽半導體 光增益係數 居量反轉 受激放光 數值模擬 Metal-oxide-semiconductor silicon tunneling diode Semiconducting silicon Optical gain coefficient Population inversion Stimulated emission Numerical simulation
描述:
來源期刊:致遠資工學刊
卷期:1:1 2007.04[民96.04]
頁次:頁75-90
日期:
20070400
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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