符合國家圖書館期刊報紙典藏數位化計畫的藏品

熱處理溫度對氧化鋅薄膜結構與光學特性之影響

熱處理溫度對氧化鋅薄膜結構與光學特性之影響

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁81-84
主題與關鍵字：熱處理溫度　溶膠凝膠法　氧化鋅
資料識別：A10020860

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退火處理與鋁攙雜濃度對於氧化鋅薄膜光電特性的影響

退火處理與鋁攙雜濃度對於氧化鋅薄膜光電特性的影響

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁85-88
主題與關鍵字：氧化鋅　旋轉塗佈法　光激發螢光光譜
資料識別：A10020861

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民俗節慶與佛教文化之探究--以四月八的浴佛節為例

民俗節慶與佛教文化之探究--以四月八的浴佛節為例

描述：來源期刊:大仁學報、卷期:36 2010.03[民99.03]、頁次:頁105-...
主題與關鍵字：浴佛節　行像　結緣　節慶　Buddha's birthday　The parade ...
資料識別：A10020862

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透明導電ITO薄膜輻射損傷之特性分析

透明導電ITO薄膜輻射損傷之特性分析

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁89-94
主題與關鍵字：透明導電薄膜　輻射損傷　ITO
資料識別：A10020863

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不同鍍膜溫度對透明導電鋅鎵氧化物薄膜之光電性質研究

不同鍍膜溫度對透明導電鋅鎵氧化物薄膜之光電性質研究

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁95-99
主題與關鍵字：鋅鎵氧化物　濺鍍　透明導電薄膜　ITO
資料識別：A10020864

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4×4 ZnSSeTe/ZnSe/GaAs PIN Photodiode Array

44 ZnSSeTe/ZnSe/GaAs PIN Photodiode Array

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁100-102
資料識別：A10020865

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山與水的越界書寫--柳宗元山水遊記與蔡廷蘭〈炎荒紀程〉之比較

山與水的越界書寫--柳宗元山水遊記與蔡廷蘭炎荒紀程之比...

描述：來源期刊:硓��石、卷期:57 2009.12[民98.12]、頁...more
主題與關鍵字：柳宗元　山水遊記　蔡廷蘭　炎荒紀程
資料識別：A10020866

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反應式射頻非平衡磁控濺鍍沉積氮化鈦薄膜製程之研究

反應式射頻非平衡磁控濺鍍沉積氮化鈦薄膜製程之研究

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁103-105
主題與關鍵字：反應式射頻非平衡磁控濺鍍　表面粗糙度　薄膜硬度
資料識別：A10020867

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奈米TiO₂粒子應用於染料敏化太陽能電池電極製作之研究

奈米TiO₂粒子應用於染料敏化太陽能電池電極製作之研究

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁106-109
主題與關鍵字：奈米TiO₂粒子　染料敏化太陽能電池　電極材料
資料識別：A10020868

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臺灣發現151個說法之商榷

描述：來源期刊:硓��石、卷期:57 2009.12[民98.12]、頁...more
主題與關鍵字：臺灣歷史　臺灣　臺灣發現
資料識別：A10020869

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Study of the Immobilized Papain Based on the Extended Gate Field Effect Transistor

Study of the Immobilized Papain Based on the Extende...

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁110-113
主題與關鍵字：Immobilized papain　RuO₂　EGFET　Papain biosensor　S......
資料識別：A10020870

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藍克賽基板上成長氧化鋅薄膜

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁114-118
主題與關鍵字：反應性射頻磁控濺鍍　氧化鋅　藍克賽
資料識別：A10020871

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隔離層對有機發光二極體漏電流之影響

隔離層對有機發光二極體漏電流之影響

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁119-122
主題與關鍵字：隔離層
資料識別：A10020872

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濺鍍製程參數與退火溫度對摻鈧氧化鋅薄膜性質之影響

濺鍍製程參數與退火溫度對摻鈧氧化鋅薄膜性質之影響

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁123-128
主題與關鍵字：射頻磁控濺鍍　氧化鋅摻鈧薄膜　退火
資料識別：A10020873

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以溶膠-凝膠法製備鈦酸鋇薄膜作為氫離子感應場效電晶體之研究

以溶膠-凝膠法製備鈦酸鋇薄膜作為氫離子感應場效電晶體...

描述：來源期刊:真空科技、卷期:19:2 民95.11、頁次:頁129-133
主題與關鍵字：感測靈敏度　ISFET　Sol-Gel　BaTiO₃
資料識別：A10020874

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