符合國家圖書館期刊報紙典藏數位化計畫的藏品

全球IC設計市場趨勢掃描

描述：來源期刊:新電子科技、卷期:205 民92.04、頁次:頁67-73
主題與關鍵字：IC設計公司　IC設計業
資料識別：A03010304

196636/1161946

從大陸IC設計業實力觀其發展後勢

從大陸IC設計業實力觀其發展後勢

描述：來源期刊:新電子科技、卷期:205 民92.04、頁次:頁74-80
主題與關鍵字：大陸　IC設計業
資料識別：A03010305

196637/1161946

從「碳」微細晶體淺談「碳」奈米結構新材料之展望

從「碳」微細晶體淺談「碳」奈米結構新材料之展望

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁126-139
主題與關鍵字：奈米材料　奈米結構材料
資料識別：A03010306

196638/1161946

光子晶體--光的半導體

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁140-146
主題與關鍵字：光子晶體
資料識別：A03010307

196639/1161946

矽鍺(SiGe)技術與應用

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁147-159
主題與關鍵字：磊晶　矽鍺　SiGe
資料識別：A03010308

196640/1161946

熱電效應之原理與應用介紹

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁160-167
主題與關鍵字：熱電效應　熱電致冷器　熱電發電機　熱電材料
資料識別：A03010309

196641/1161946

不失憶的夢幻記憶體--磁性記憶體MRAM

不失憶的夢幻記憶體--磁性記憶體MRAM

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁168-176
主題與關鍵字：磁性記憶體　MRAM
資料識別：A03010310

196642/1161946

人造光晶體理論與製程

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁177-184
主題與關鍵字：光晶體
資料識別：A03010311

196643/1161946

基體觸發技術與閘極驅動技術之比較及其在積體電路靜電放電防護上之應用

基體觸發技術與閘極驅動技術之比較及其在積體電路靜電放...

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁188-202
主題與關鍵字：基體觸發技術　閘極驅動技術　靜電放電防護電路　Substrate-...
資料識別：A03010312

196644/1161946

金氧半電晶體元件置於銲墊下方之特性研究

金氧半電晶體元件置於銲墊下方之特性研究

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁203-210
主題與關鍵字：銲墊　漏電流　溫度衝擊試驗　溫度循環測試　Bond pad　Leak...
資料識別：A03010313

196645/1161946

積體電路靜電放電防護和鎖定防制之最佳化設計案例

積體電路靜電放電防護和鎖定防制之最佳化設計案例

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁217-226
主題與關鍵字：靜電放電　鎖定　電性過壓　矽控整流器　Electrostatic dics...
資料識別：A03010314

196646/1161946

應用於高頻線路的靜電放電防護設計

應用於高頻線路的靜電放電防護設計

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁227-232
主題與關鍵字：低電壓觸發　低電容ESD保護裝置　嵌入式SCR NMOS　Low volta...
資料識別：A03010315

196647/1161946

利用離子佈植方式增強深次微米電晶體元件對靜電放電防護能力之研究

利用離子佈植方式增強深次微米電晶體元件對靜電放電防護...

描述：來源期刊:電子月刊、卷期:9:4=93 民92.04、頁次:頁233-238
主題與關鍵字：靜電放電　靜電放電離子佈植　輸出入埠電路　Electrostatic ...
資料識別：A03010316

196648/1161946

公司治理的理念、現況與改革

描述：來源期刊:證券暨期貨管理、卷期:21:4 民92.04、頁次:頁1-19
主題與關鍵字：Corporate governance 公司治理
資料識別：A03010317

196649/1161946

我國公司治理之現況與未來

描述：來源期刊:證券暨期貨管理、卷期:21:4 民92.04、頁次:頁20-30...
主題與關鍵字：公司治理
資料識別：A03010318

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