中文名:晶體的成長
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後設資料
- 資料識別：
- 系統編碼:0b00000181f23ad1
- 資料類型：
- 紀錄類別:地質學習資源
- 著作者：
- 作者:何恭算
- 主題與關鍵字：
- 主題:地質
- 描述：
- 簡介: 以液相轉變為晶體為例，晶體從滋生和成長需要經歷三個階段：（1）液體或熔體達到過飽和狀態；（2）晶核從過飽和的溶液或熔體中晶出，是為成核作用；（3）以晶核為中心，在其表面持續成長，使晶體逐漸長大。 有關晶體成長有諸多理論，本文僅以「層生長」和「螺旋生長」兩種理論，略做說明。 1. 層生長理論 是指晶體的生長由質點面網一層接一層地不斷向外平行移動的結果（圖一），所以晶體常成為面平、稜角的多面體型態，而且因晶面向外平行推移生長，使得晶體中不同晶面間的夾角不變。 2. 螺旋生長理論 是指晶體生長界面上因位錯而出現的凹角，可做為晶體生長的台階，晶體於是圍繞位錯處以旋轉方式生長（圖二）。此一理論可以解釋晶體在很低的過飽和度下亦能生長的實際現象。
- 出版者：
- 數位化執行單位:國立自然科學博物館（http://www.nmns.edu.tw/）
- 來源：
- 數位化單位:國立自然科學博物館地質學組礦物
- 管理權：
- 典藏單位:國立自然科學博物館
授權聯絡窗口
- 鍾舜丞
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chungnmns@nmns.edu.tw
