運用於非揮發性記憶器的體通道式浮動閘極場效電晶體之研製

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資料識別:
A99035812
資料類型:
期刊論文
著作者:
何志傑 陳世芳
主題與關鍵字:
鈦酸鉛鐵電薄膜 體通道式浮動閘極場效電晶體 非揮發性記憶體 通道電導比 拭寫次數 Ferroelectric (PbTiO[feb0]) thin film Bulk floating gate field effect transistor FET Non-volatile memory Channel conductivity ratio Read/write cycles (endurance)
描述:
來源期刊:和春學報
卷期:6 民88.07
頁次:頁217-227
日期:
19990700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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