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Effects of Conduction Band Offset on Two-Dimensional Electron Gas in Delta-Doped InGaAs-Based Heterostructures
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後設資料
資料識別:
A99030779
資料類型:
期刊論文
著作者:
Ahoujja,M. Mitchel,W. C. Elhamri,S. Newrock,R. S. Lo,Ikai
描述:
來源期刊:Chinese Journal of Physics
卷期:37:5 民88.10
頁次:頁519-527
日期:
19991000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
Ahoujja,M. Mitchel,W. C. Elhamri,S. Newrock,R. S. Lo,Ikai(19991000)。[Effects of Conduction Band Offset on Two-Dimensional Electron Gas in Delta-Doped InGaAs-Based Heterostructures]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/34/43.html(2024/09/13瀏覽)。
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http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/34/43.html
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