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表面回應方法在絕緣閘雙極性功率電晶體元件靜態特性之最佳化設計
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資料識別:
A99029601
資料類型:
期刊論文
著作者:
王啟林(Wamg, Chi-ling) 黃思倫(Huang, Sy-ruen) 賴源育(Lai, Yuan-yuh) 于殿聖(Yu, Diann-shenq) 林祺淯(Lin, Chyi-yuh)
主題與關鍵字:
絕緣閘雙極性功率電晶體 導通電阻 崩潰電壓 最佳化 表面回應方法 實驗設計 IGBT On resistance Breakdown voltage Optimization RSM DOE
描述:
來源期刊:逢甲學報
卷期:36 民88.12
頁次:頁99-123
日期:
19991200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
王啟林(Wamg, Chi-ling) 黃思倫(Huang, Sy-ruen) 賴源育(Lai, Yuan-yuh) 于殿聖(Yu, Diann-shenq) 林祺淯(Lin, Chyi-yuh)(19991200)。[表面回應方法在絕緣閘雙極性功率電晶體元件靜態特性之最佳化設計]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/2f/b0.html(2017/03/23瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/64/2f/b0.html
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