Effects of N-Type Shallow Implantation Depletion Layer Width on the Breakdown Voltage of a Schottky Barrier Diode Fabricated on P-Type Substrate
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- 資料識別：
- A99028593
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃亞麒(Huang， Ya-chi) 李連城(Li， Lien-cheng)
- 主題與關鍵字：
- 離子佈植 蕭基能障二極體 崩潰電壓
- 描述：
- 來源期刊:黃埔學報
- 卷期:38 民88.12
- 頁次:頁317-334
- 日期：
- 19991200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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