以化學氣相沈積法成長半導體薄膜

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資料識別:
A99025508
資料類型:
期刊論文
著作者:
洪昭南 郭有斌
主題與關鍵字:
化學氣相沈積法 半導體薄膜 CVD
描述:
來源期刊:化工技術
卷期:7:12=81 民88.12
頁次:頁190-204
日期:
19991200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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