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Influence of Excess Bismuth Contents on the Ferroelectric Properties of Fatigue-Free Strontium Bismuth Tantalate Thin-Films
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資料識別:
A99013101
資料類型:
期刊論文
著作者:
呂宗昕(Lu, Chung-hsin) 方步寬(Fang, Buh-kuan)
主題與關鍵字:
強介電 薄膜 疲勞 鍶-鉍-鉭氧化物 Ferrolectric Thin films Fatigue Strontium-bismuch-tantalate oxide
描述:
來源期刊:國立臺灣大學工程學刊
卷期:76 民88.06
頁次:頁119-127
日期:
19990600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
呂宗昕(Lu, Chung-hsin) 方步寬(Fang, Buh-kuan)(19990600)。[Influence of Excess Bismuth Contents on the Ferroelectric Properties of Fatigue-Free Strontium Bismuth Tantalate Thin-Films]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/e7/99.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/e7/99.html
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