Preparation and Analysis of Silicon Negative Differential Resistance Diodes with Porous Superlattice Structure
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- 資料識別：
- A98005861
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 王水進(Wang， Shui-jinn) 蔡豪益(Tsai， Hao-yi) 林鴻仁(Lin， Hung-jen)
- 主題與關鍵字：
- Porous silicon Superlattice Negative differential resistance Anodization Peak-to-valley current ratio Resonant tunneling 多孔矽超晶格結構 負微分電阻特性
- 描述：
- 來源期刊:Proceedings of the National Science Council. Part A， Physical Science and Engineering
- 卷期:22:2 民87.03
- 頁次:頁235-242
- 日期：
- 19980300
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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