Electrical Characteristics of In0.5Ga0.5P/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistors Using Spacer Layers
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- 資料識別：
- A98040403
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 盧協益(Lu， S. Y.) 林育賢(Lin， Y. S.) 吳昌崙(Wu， C. L.) 許渭州(Hsu， W. C.)
- 主題與關鍵字：
- 低壓有機金屬化學汽相沉積法 異質射極雙載子電晶體 無摻雜之空間層 射極薄化 射極面積效應 砷化鎵 磷化銦鎵 HEBT MOCVD Undoped spacer Emitter-size effect Edge-thinning GaAs InGaP
- 描述：
- 來源期刊:吳鳳學報
- 卷期:6 民87.06
- 頁次:頁87-94
- 日期：
- 19980600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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