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Symmetric Delta-Doped InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors with Graded Heterointerface
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資料識別:
A98040402
資料類型:
期刊論文
著作者:
李亦顓(Li, Y. J.) 林育賢(Lin, Y. S.) 吳昌崙(Wu, C. L.) 許渭州(Hsu, W. C.)
主題與關鍵字:
低壓有機金屬化學汽相沉積法 異質結構場效電晶體 漸變通道 δ摻雜 LP-MOCVD HFET Graded channel Delta-doped
描述:
來源期刊:吳鳳學報
卷期:6 民87.06
頁次:頁81-86
日期:
19980600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
李亦顓(Li, Y. J.) 林育賢(Lin, Y. S.) 吳昌崙(Wu, C. L.) 許渭州(Hsu, W. C.)(19980600)。[Symmetric Delta-Doped InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors with Graded Heterointerface]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/bd/0f.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/bd/0f.html
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