High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor
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- 資料識別：
- A98040401
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 簡信裕(Jain， Shin-yuh) 吳昌崙(Wu， Chang-luen) 許渭州(Hsu， Wei-chou) 蘇建信(Su， Jan-shing) 林蔚(Lin， Wei)
- 主題與關鍵字：
- 有機金屬化學汽相沉積法 異質結構場效電晶體 蕭基位障 崩潰電壓 MOCVD HFET Schottky barrier height Breakdown voltage
- 描述：
- 來源期刊:吳鳳學報
- 卷期:6 民87.06
- 頁次:頁75-80
- 日期：
- 19980600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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