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Conduction Process and Threshold Voltage in Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors
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後設資料
資料識別:
A98037215
資料類型:
期刊論文
著作者:
李道聖(Li, ToShing)
主題與關鍵字:
臨界電壓 複晶矽 Threshold voltage Polycrystalline-silicon
描述:
來源期刊:崑山技術學院學報
卷期:1 民87.01
頁次:頁23-25
日期:
19980100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
李道聖(Li, ToShing)(19980100)。[Conduction Process and Threshold Voltage in Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/ac/b6.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/ac/b6.html
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