Low Temperature Growth of GaN Films on (001) GaAs Substrates by Atomic Layer Epitaxy
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- 資料識別：
- A98029760
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃世晟(Huang， S. C.) 王興燁(Wang， H. Y.) 徐聰仁(Hsu， C. J.) 龔志榮(Gong， J. R.) 姜崇義(Chiang， C. I.) 林錦華(Lin， C. H.) 杜順利(Tu， S. L.) 張弘(Chang， H.)
- 主題與關鍵字：
- 原子層磊晶 氮化鎵 砷化鎵 三甲基鎵 疊差 Atomic layer epitaxy Gallium nitride Gallium arsenide Trimethylgallium Stacking faults
- 描述：
- 來源期刊:材料科學
- 卷期:30:4 民87.12
- 頁次:頁269-273
- 日期：
- 19981200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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