In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A98028929
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 程一誠(Cheng， Yi-cheng) 戴國仇(Tai， Kuochou)
- 主題與關鍵字：
- SSMBE InGaP Valved cracker AES V/III ratio 固態源分子束磊晶系統生長 磷化銦鎵
- 描述：
- 來源期刊:Proceedings of the National Science Council. Part A， Physical Science and Engineering
- 卷期:22:6 民87.11
- 頁次:頁805-810
- 日期：
- 19981100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
