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Effect of Oxidation Pressure on the Characteristics of Fluorinated Thin Gate Oxides Prepared by Room Temperature Deposition Followed by Rapid Thermal Oxidation
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資料識別:
A98024375
資料類型:
期刊論文
著作者:
葉國良(Yeh, Kuo-lang) 鄭明哲(Jeng, Ming-jer) 胡振國(Hwu, Jenn-gwo)
主題與關鍵字:
Liquid phase deposition LPD Rapid thermal oxidation RTO Time-zero dielectric breakdown TZDB Charge-to-breakdown Q Oxide breakdown field E 室溫液相沉積法 快速熱氧化處理 氟 氧化層
描述:
來源期刊:Proceedings of the National Science Council. Part A, Physical Science and Engineering
卷期:22:4 民87.07
頁次:頁539-545
日期:
19980700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
葉國良(Yeh, Kuo-lang) 鄭明哲(Jeng, Ming-jer) 胡振國(Hwu, Jenn-gwo)(19980700)。[Effect of Oxidation Pressure on the Characteristics of Fluorinated Thin Gate Oxides Prepared by Room Temperature Deposition Followed by Rapid Thermal Oxidation]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/78/e8.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/78/e8.html
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