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以液相沈積法成長二氧化矽之性質探討及其在MIS太陽電池之應用
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資料識別:
A98023896
資料類型:
期刊論文
著作者:
張偉智(Chang, W. J.) 王納富(Wang, N. F.) 黃建榮(Huang, C. J.) 洪茂峰(Houng, M. P.) 王永和(Wang, Y. H.)
主題與關鍵字:
隔絕能力 低溫成長 電容-電壓曲線 成長機制 MIS太陽電池 載子跳躍理論 位障高度 理想因數 Isolating ability Low temperature growth Capacitance-voltage curve Growth mechanism MIS solar cells Trap-assisted hopping conduction mechanism Barrier height Ideality factor
描述:
來源期刊:材料科學
卷期:30:3 民87.09
頁次:頁165-177
日期:
19980900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
張偉智(Chang, W. J.) 王納富(Wang, N. F.) 黃建榮(Huang, C. J.) 洪茂峰(Houng, M. P.) 王永和(Wang, Y. H.)(19980900)。[以液相沈積法成長二氧化矽之性質探討及其在MIS太陽電池之應用]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/77/05.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/77/05.html
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