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Improved Current-Voltage Characteristics on Four-Terminal GaAs and GaAs/InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors
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資料識別:
A97034397
資料類型:
期刊論文
著作者:
吳昌崙(Wu, Chang-luen) 許渭洲(Hsu, Wei-chou)
主題與關鍵字:
低壓有機金屬化學氣相沉積法 實空間傳導 場效電晶體 歐姆凹槽 峰對谷電流比值 互導值 砷化銦鎵 Low-pressure metalorganic chemical vapor deposition Real-space transfer Filed-effect transistor Ohmic recess Peak-to-valley current ratio Extrinsic transconductance InGaAs
描述:
來源期刊:吳鳳學報
卷期:5 民86.06
頁次:頁99-107
日期:
19970600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
吳昌崙(Wu, Chang-luen) 許渭洲(Hsu, Wei-chou)(19970600)。[Improved Current-Voltage Characteristics on Four-Terminal GaAs and GaAs/InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/07/b8.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/07/b8.html
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