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Compact Device Modeling of Deep-submicron Silicon-on-insulator (SOI) Cmos Technology
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後設資料
資料識別:
A97030847
資料類型:
期刊論文
著作者:
郭正邦(Kuo, James B.)
主題與關鍵字:
深次微米 絕緣物上矽 互補式金氧半 元件模型 Deep-submicron Silicon-on-insulator CMOS Device modeling
描述:
來源期刊:國立臺灣大學工程學刊
卷期:71 民86.10
頁次:頁43-60
日期:
19971000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
郭正邦(Kuo, James B.)(19971000)。[Compact Device Modeling of Deep-submicron Silicon-on-insulator (SOI) Cmos Technology]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/f9/d7.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/f9/d7.html
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