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CMOS揮發性記憶體製程技術簡介
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後設資料
資料識別:
A97028560
資料類型:
期刊論文
著作者:
王念民
主題與關鍵字:
動態隨機存取記憶體 靜態隨機存取記憶體 化學機械研磨 薄膜電晶體 軟錯記 Dynamic random access memory DRAM Static random access memory SRAM Chemical mechanical polishing CMP Thin film transistor TFT Soft error
描述:
來源期刊:電子技術
卷期:141 民86.12
頁次:頁184-190
日期:
19971200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
王念民(19971200)。[CMOS揮發性記憶體製程技術簡介]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/ed/08.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/ed/08.html
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