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Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy
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資料識別:
A97027956
資料類型:
期刊論文
著作者:
劉正中(Liu, Cheng-chung) 張連璧(Chang, Liann-be) 鄭益昌(Cheng, Yi-chang)
主題與關鍵字:
砷化銦鎵 三氧化二鐠 雜質濃度 載子遷移率 光激瑩光 GaAs Pr[feaf]O[feb0] Impurity concentration Carrier mobility Photoluminescence
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:25:2 民86.01
頁次:頁187-193
日期:
19970100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
劉正中(Liu, Cheng-chung) 張連璧(Chang, Liann-be) 鄭益昌(Cheng, Yi-chang)(19970100)。[Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/ea/a6.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/ea/a6.html
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