分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET)
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A97026229
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 洪銘輝
- 主題與關鍵字：
- 分子束磊晶技術 金氧半場效電晶體 MOSFET
- 描述：
- 來源期刊:光訊
- 卷期:66 民86.06
- 頁次:頁1-5
- 貢獻者：
- 周維揚
- 日期：
- 19970600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
