以4x10[fee4] Dose/cm[feb4]矽離子佈植100 nm二氧化矽薄膜經100℃快速退火之光激發螢光研發

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資料識別:
A97024926
資料類型:
期刊論文
著作者:
蔡震寰(Tsai, Jen-hwan) 張毅(Chang, Yih) 高進興(Kao, C. H.) 曾昆福(Tseng, Kun-fu) 張廷桓(Chang, Ting-huan) 廖志雄(Liao, Ching-hsiung)
主題與關鍵字:
矽離子佈植 快速退火 光激發螢光 Silicon implanation Rapid thermal annealing Photoluminescence
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:26:1 民86.07
頁次:頁35-45
日期:
19970700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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