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In-Situ Micro Strain Gauges for Measuring Residual Strain of Three CMOS Thin Using Only One Maskless Post-Processing Step
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後設資料
資料識別:
A97024089
資料類型:
期刊論文
著作者:
戴慶良(Dai, Ching-liang) 張培仁(Chang, Pei-zen)
主題與關鍵字:
CMOS Thin film Residual strains 互補式金氧半導體 薄膜 殘留應變
描述:
來源期刊:中國工程學刊
卷期:20:5 民86.09
頁次:頁539-548
日期:
19970900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
戴慶良(Dai, Ching-liang) 張培仁(Chang, Pei-zen)(19970900)。[In-Situ Micro Strain Gauges for Measuring Residual Strain of Three CMOS Thin Using Only One Maskless Post-Processing Step]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/db/db.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/db/db.html
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