Substrate Engineering of Picosecond Photoconductive Switches Based on Low-Temperature-Grown GaAs

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A97024019
資料類型:
期刊論文
著作者:
尤建盛(Yu, J. S.) 張義樹(Chang, Y. S.) 陳俊男(Chen, J. N.) 蔡宗儒(Tsai, T. R.) 洪勝富(Horng, S. F.) 齊正中(Chi, C. C.)
主題與關鍵字:
Photoconductive switch Substrate effects Picosecond optoelectronics Low-temperature-grown GaAs 光致電導閥 基座效應 次皮秒光電子 低溫成長砷化鎵
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:4:3 民86.08
頁次:頁185-192
日期:
19970800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

南科345kV地下電纜線路之規劃設計...
論工程仲裁中最具爭議性之前置程序問題
行動數位生活技術研發計畫成果與展望
最近中國大陸考古的新發現
石化工業區廢水處理廠放流水與冷卻水回...
明鄭時期臺灣「名士佛教」的特質分析