An Observation of Oxygen Precipitation Retardation Phenomenon Induced by 450。C Anneal in Czochralski Silicon
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- 資料識別：
- A97015536
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 貢中元(Kung， C. Y.) 徐瑋(Hsu， W.) 劉進明(Liu， J. M.)
- 主題與關鍵字：
- 氧凝聚遲滯 氧凝聚物 二溫階退火 三溫階退火 微觀結構 Oxygen precipitate Precipitation retardation Rod-like defect Three-step anneal Two-step anneal Silicon
- 描述：
- 來源期刊:興大工程學報
- 卷期:8:2 民86.06
- 頁次:頁21-29
- 日期：
- 19970600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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