The Correlation between the Characteristicsofa-Si:Hthin-Film Transistorand Physicalproperties of a-Sin戓:Hgatelayer withn[feaf]O-Plasmatreatment

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資料識別:
A97015419
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳盈安(Chen, Yen-ann) 林全益(Lin, Chain-ye) 蔡文欽(Tsay, Wen-chin) 賴利弘(Laih, Li-hong) 簡廷憲(Jen, Tean-sen) 洪志旺(Hong, Jyh-wong)
主題與關鍵字:
薄膜電晶體 折射係數 機械應力 電漿處理 Thin-film transistor Refractive index Tensile mechanism stress N[feaf]O-plasma treatment
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:4:2 民86.05
頁次:頁89-96
日期:
19970500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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