Optimization of Spacer Width and Source-Drain Implant on pMOS Characteristics for Quarter-Micrometer Devices
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A97011714
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 梁瑛心(Liang， Ying-hsin) 崔秉鉞(Tsai， Bing-yue) 王是琦(Wong， Shyh-chyi)
- 主題與關鍵字：
- 閘極的空間寬度 汲極邊上淡濃度的佈植 飽和電流 漏電流 基體電流 開啟電壓 Spacer width Source-drain doping Substrate current Off-state leakage current Saturation drain current Threshold voltage
- 描述：
- 來源期刊:南開學報
- 卷期:2 民86.06
- 頁次:頁151+153-162
- 日期：
- 19970600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
