InGan-GaN Light Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A00017651
資料類型:
期刊論文
著作者:
張慶安(Chang, Chin-an) 吳易座(Wu, E-tsou) 賴夆杰(Lai, Fung-jei) 蔡嘉明(Tsai, Chia-ming) 洪明正(Hong, Ming-cheng) 吳承儒(Wu, Cheng-ru) 何晉國(Ho, Ching-kuo) 劉惠芬(Liu, Huei-fen) 馮世維(Feng, Shih-wei) 廖啟智(Liao, Chi-chih) 楊志忠(Yang, Chi-chung)
主題與關鍵字:
發光二極體 分子束磊晶法 InGaN LED MBE
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:7:3 民89.08
頁次:頁211-217
日期:
20000800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

IC光阻材料技術發展
南科345kV地下電纜線路之規劃設計...
中國古代飲食名著(上)
明清以來學者補《元史藝文志》成果述考
人工合成腐植酸對人類臍帶靜脈血管內皮...
Teaching Doris Les...