P-Type Activation Study on Mg-doped GaN Films Prepared by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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資料識別:
A00017648
資料類型:
期刊論文
著作者:
潘永中(Pan, Yung-chung) 劉嘉順(Liu, Chia-shun) 李文雄(Lee, Wen-hsiung) 王淑芳(Wang, Su-fang) 陳文雄(Chen, Wen-hsiung) 李明知(Lee, Ming-chih) 陳衛國(Chen, Wei-kuo) 張凌雲(Jang, Ling-yun) 李志甫(Lee, Jyh-fu) 姜崇義(Chiang, Chung-i) 林錦華(Lin, Chin-hwa) 張弘(Chang, Horng)
主題與關鍵字:
退火 摻鎂氮化鎵 霍爾量測 延伸X光精細結構吸收光譜 空缺 Annealing Mg-doped GaN Hall measurement EXAFS Vacancy
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:7:3 民89.08
頁次:頁187-194
日期:
20000800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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