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The Study of Growth Temperature Effect on Crystal Structure Transition for GaN Films Grown on GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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資料識別:
A00017647
資料類型:
期刊論文
著作者:
李文雄(Lee, Wen-hsiung) 黃懷瑩(Huang, Huai-ying) 李明知(Lee, Ming-chih) 陳文雄(Chen, Wen-hsing) 陳衛國(Chen, Wei-kuo)
主題與關鍵字:
立方體氮化鎵 有機金屬汽相磊晶 X光繞射 拉曼光譜 聲子相關長度 Cubic GaN MOVPE X-ray Raman Correlation length
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:7:3 民89.08
頁次:頁181-185
日期:
20000800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
李文雄(Lee, Wen-hsiung) 黃懷瑩(Huang, Huai-ying) 李明知(Lee, Ming-chih) 陳文雄(Chen, Wen-hsing) 陳衛國(Chen, Wei-kuo)(20000800)。[The Study of Growth Temperature Effect on Crystal Structure Transition for GaN Films Grown on GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/1b/54.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/1b/54.html
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