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高功率金氧半場效電晶體製程技術及發展趨勢
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後設資料
資料識別:
A00016922
資料類型:
期刊論文
著作者:
李宏俊
主題與關鍵字:
高功率金氧半場效電晶體 功率半導體 高功率元件 高壓製程技術 高壓元件 High power MOSFET Power semiconductor Power devices High-voltage process High-voltage devices
描述:
來源期刊:電力電子技術
卷期:55 民89.02
頁次:頁23-34
日期:
20000200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
李宏俊(20000200)。[高功率金氧半場效電晶體製程技術及發展趨勢]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/18/71.html(2017/03/23瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/18/71.html
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