Investigation of Multiple Negative-Differential-Resistance (NDR) Phenomena of InGaP/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A00013810
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 蔡榮輝(Tsai， Jung-hui)
- 主題與關鍵字：
- 磷化銦鎵/砷化鎵 累增崩潰 位障降低效應 負微分電阻現象 異質結構射極 InGaP/GaAs Avalanche multiplication Barrier lowering effect Negative-differential-resistance Heterostructure-emitter
- 描述：
- 來源期刊:建國學報
- 卷期:19:2 民89.06
- 頁次:頁583-587
- 日期：
- 20000600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
