MOCVD在Sapphire上成長GaN時緩衝層之任務
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- 資料識別：
- A00013239
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 史光國
- 主題與關鍵字：
- 緩衝層 材料 半導體材料 AIN GaN MOCVD
- 描述：
- 來源期刊:工業材料
- 卷期:161 民89.05
- 頁次:頁128-135
- 日期：
- 20000500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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