成長非揮發性記憶體之高品質複晶矽氧化層
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- 資料識別：
- A01007994
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 趙天生 楊文祿 鄭俊明 潘同明 雷添福
- 主題與關鍵字：
- 非揮發性記憶體 複晶矽氧化層 絕緣層
- 描述：
- 來源期刊:國科會國家毫微米元件實驗室通訊
- 卷期:8:2 民90.05
- 頁次:頁18-21
- 日期：
- 20010500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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