InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究

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資料識別:
A01035467
資料類型:
期刊論文
著作者:
林彥勝(Lin, Yen-sheng) 徐鎮(Hsu, C.) 馬廣仁(Ma, Kung-jeng) 楊志忠(Yang, C. C.)
主題與關鍵字:
氮化銦鎵 量子井結構 增幅分解反應 相分離 V型缺陷 InGaN/GaN Quantum well structures Spinodal decomposition Phase separation V-shape defect
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:30:1 民90.10
頁次:頁95-104
日期:
20011000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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