以兩階段氮化閘氧化層及非晶矽閘電極以改善金氧半元件之抗輻射特性
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- 資料識別：
- A01029682
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 開執中(Kai， Ji-jung) 張廖貴術(Chang Liao， Kuei-shu) 黃振國(Huang， Jenn-gwo)
- 主題與關鍵字：
- 金氧半元件 氮化氧化層 非晶矽閘極 抗輻射 MOS device Nitrided oxide Amorphous Si Radiation hardening
- 描述：
- 來源期刊:台電工程月刊
- 卷期:640 民90.12
- 頁次:頁31-47
- 日期：
- 20011200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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