氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A01026777
資料類型:
期刊論文
著作者:
張連璧(Chang, L. B.) 劉書史(Liu, S. S.)
主題與關鍵字:
乾式蝕刻 氮化鎵 感應耦合電漿 Dry etching GaN ICP
描述:
來源期刊:材料科學與工程
卷期:33:3 民90.09
頁次:頁136-142
日期:
20010900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

酸性離子液體觸媒在煉油及石化工業之應...
西方文學思潮的流變(2)
「探索亞洲」佛教造像精品介紹--印度...
探討1949到2000年臺灣花鳥畫風...
南科345kV地下電纜線路之規劃設計...
佛國淨土與中國神話:莫高窟285窟的...