電子溢流對氮化銦鎵多量子井元件光學特性之影響

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A01001570
資料類型:
期刊論文
著作者:
張誌原 郭艷光
主題與關鍵字:
氮化銦鎵 雷射二極體 光學特性 數值模擬 InGaN Laser diode Optical property Numerical simulation
描述:
來源期刊:光學工程
卷期:73 民90.03
頁次:頁45-50
日期:
20010300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

Extraordinary Accu...
物種生態誌(2)
女性荷爾蒙療法與中藥科學中藥處方併用...
總計畫:中藥材輻射滅菌劑量之評估研究...
豬博德氏菌、巴氏桿菌、放線桿菌、大腸...
如何妥善因應及減少慢性C型肝炎病患在...